固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
刘玉翠
2025-10-08 13:57:50
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添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以及工业和军事应用。并为负载提供直流电源。支持隔离以保护系统运行，涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片：东芝)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于创建自定义 SSR。（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。